M00600 - SEMI M6 - 太陽光電池用シリコンウェーハの仕様 Revision:SEMI M6-1108 - Superseded 帯電したウェーハやレチクルの表面は異物を吸着（静電気吸着，またはESA： electrostatic attraction）し，不良率を増やす。また，製品に存在する電荷は，装置故障や製品自体の破壊の原因となることがある。

帯電したウェーハやレチクルの表面は異物を吸着（静電気吸着，またはESA： electrostatic attraction）し，不良率を増やす。また，製品に存在する電荷は，装置故障や製品自体の破壊の原因となることがある。

35-1109E (editorial revision)

since non-planarity of the wafers can lead to problems in subsequent processing steps

test methods

or specific components when dedicated training equipment is not available

M00600 - SEMI M6 - 太陽光電池用シリコンウェーハの仕様 Revision:SEMI M6-1108 - Superseded 帯電したウェーハやレチクルの表面は異物を吸着（静電気吸着，またはESA： electrostatic attraction）し，不良率を増やす。また，製品に存在する電荷は，装置故障や製品自体の破壊の原因となることがある。global Silicon Wafer Committee2008829global Audits and Reviews Subcommittee200810www. semi. org200811CD ROM198120077 SEMI M6SEMI M6. 1SEMI M6. 2SEMI M6. 3SEMI M6. 4SEMI M6. 5 PV Referenced SEMI Standards SEMI M1 Specifications for Polished Monocrystalline Silicon Wafers SEMI M59 Terminology for Silicon Technology SEMI MF26 Test Methods for Determining the Orientation of a Semiconductive Single Crystal