M07300 - SEMI M73 - 測定したウェーハエッジプロファイルから直接的関連性ある特性を抽出するテスト方法 StdPbc-0118 コンピュータおよび通信システム

コンピュータおよび通信システム

This Standard extends to the region of ultra-thin thickness from 3 point bending measurement method SEMI G86-0303 which describes the Die Strength Evaluation Method

本文書の目的は，半導体産業で使用される水酸化アンモニウムに対する要求条件を標準化し，またこれらのスタンダードをサポートする試験手順を標準化することである。テスト方法は，統計的に有効な結果を示している。本文書は，水酸化アンモニウムに対して要求が認められたグレードのガイドラインも示す。ガイドラインの場合は，テスト方法は統計的に有効となっていない場合がある。

管サンプルは有用な結果を得るには相当長く（3～4メートルで）なければならない。しかし，それらを実際にテスト作業台に載せるためU字形に曲げることができる。曲率半径は管の内径の6倍以上とする必要がある。また曲げる個所はできるだけ少なくするべきである。現在，超高純度部品は大多数が金属ガスケットコネクタを付けて供給される。したがって，使用されるテスト作業台はこれに合うコネクタを備えているべきである。この種の継手は通常，管に溶接されているがこれは推奨できない。実験結果にバラツキを生じそれが管理できないからである。その代わりとして，管の圧縮継手または適切なアダプタを使用すべきである。圧縮継手は最初に接続してから一連のテストが終わるまで外すべきではない。こうすれば，接続が完全に維持できる。ガスケットを圧縮継手に接続するアダプタは同じ種類のアダプタを使用して，全ての管サンプルをテストすべきである。

internal reticle movement

M07300 - SEMI M73 - 測定したウェーハエッジプロファイルから直接的関連性ある特性を抽出するテスト方法 StdPbc-0118 コンピュータおよび通信システムglobal Silicon Wafer Committee20081119global Audits and Reviews Subcommittee20092www. semi. org20093CD ROM200811 SEMI M1 Referenced SEMI Standards SEMI M1 Specification for Polished Single Crystal Silicon Wafers SEMI M20 Practice for Establishing a Wafer Coordinate System SEMI M59 Terminology for Silicon Technology