LSK170B Transistor, N-JFET, 40V, 10mA, 0,4W (TO92) facadebelysning hvilket gør det fleksibelt i

hvilket gør det fleksibelt i brug og nemt at tilpasse forskellige installationssituationer

Med den klare og konstante belysning kan det signalere fare eller begrænse adgang

hvor tydelig mærkning af jordforbindelser er nødvendig for at opretholde overensstemmelse med gældende sikkerhedsstandarder

som erstatter traditionelle 120W glødepærer

Den standardiserede størrelse gør installationen enkel og præcis

LSK170B Transistor, N-JFET, 40V, 10mA, 0,4W (TO92) facadebelysning hvilket gør det fleksibelt iLSK170B er en N kanal Junction Field Effect Transistor (N JFET) designet til applikationer med lav spnding og strm. Med en maksimal drain source spnding p 40V og en drain strm p op til 10mA, sikrer denne transistor en plidelig styring af signaler og strmme i elektroniske kredslb. Den effektbegrnsning p 0,4W gr den velegnet til lav effekt applikationer, hvor plads og varmeudvikling er kritiske faktorer. Prcis styring med N JFET teknologi LSK170B